| 1. Identificação | ||||
| Tipo de Referência | Artigo em Evento (Conference Proceedings) | |||
| Site | mtc-m21c.sid.inpe.br | |||
| Código do Detentor | isadg {BR SPINPE} ibi 8JMKD3MGPCW/3DT298S | |||
| Identificador | 8JMKD3MGP3W34R/3SR7TSE | |||
| Repositório | sid.inpe.br/mtc-m21c/2019/02.28.16.05 | |||
| Repositório de Metadados | sid.inpe.br/mtc-m21c/2019/02.28.16.05.53 | |||
| Última Atualização dos Metadados | 2021:03.04.02.45.58 (UTC) administrator | |||
| Chave Secundária | INPE--PRE/ | |||
| Chave de Citação | SennaSmit:1994:GaDoEt | |||
| Título | Gallium doping for etch stop in silicon etching  | |||
| Ano | 1994 | |||
| Data de Acesso | 25 maio 2024 | |||
| Tipo Secundário | PRE CI | |||
| 2. Contextualização | ||||
| Autor | 1 Senna, José Roberto Sbragia 2 Smith, R. L. | |||
| Grupo | 1 LAS-INPE-MCT-BR | |||
| Afiliação | 1 Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais (INPE) 2 University of California at Davis | |||
| Endereço de e-Mail do Autor | 1 jose.senna@inpe.br | |||
| Nome do Evento | Meeting of the Electrochemical Society, 185 | |||
| Localização do Evento | San Francisco, CA | |||
| Data | may | |||
| Histórico (UTC) | 2019-02-28 16:06:36 :: simone -> administrator :: 1994 2021-03-04 02:45:58 :: administrator -> simone :: 1994 | |||
| 3. Conteúdo e estrutura | ||||
| É a matriz ou uma cópia? | é a matriz | |||
| Estágio do Conteúdo | concluido | |||
| Transferível | 1 | |||
| Tipo do Conteúdo | External Contribution | |||
| Resumo | We describe an experiment to determine the reduction of the etch rate of crystalline silicon in KOH, due to p-type doping, using Gallium (as opposed to the usual Boron), as a dopant. The doped samples have been obtained by ion implantation, tailored to obtain a quasi-uniform profile appropriate for etch-rate determinations, within the first 200 nm of depth. This a straightforward test of etch stop models, since all reported experiments to date in p-type silicon have been done exclusively using Boron as a dopant. | |||
| Área | FISMAT | |||
| Arranjo | Fonds > Produção anterior à 2021 > LABAS > Gallium doping for... | |||
| Conteúdo da Pasta doc | não têm arquivos | |||
| Conteúdo da Pasta source | não têm arquivos | |||
| Conteúdo da Pasta agreement |
| |||
| 4. Condições de acesso e uso | ||||
| Idioma | en | |||
| Grupo de Usuários | simone | |||
| Grupo de Leitores | administrator simone | |||
| Visibilidade | shown | |||
| Permissão de Atualização | não transferida | |||
| 5. Fontes relacionadas | ||||
| Repositório Espelho | urlib.net/www/2017/11.22.19.04.03 | |||
| Unidades Imediatamente Superiores | 8JMKD3MGPCW/3ESR3H2 | |||
| Acervo Hospedeiro | urlib.net/www/2017/11.22.19.04 | |||
| 6. Notas | ||||
| Campos Vazios | archivingpolicy archivist booktitle callnumber copyholder copyright creatorhistory descriptionlevel dissemination doi e-mailaddress edition editor format isbn issn keywords label lineage mark nextedition notes numberoffiles numberofvolumes orcid organization pages parameterlist parentrepositories previousedition previouslowerunit progress project publisher publisheraddress readpermission resumeid rightsholder schedulinginformation secondarydate secondarymark serieseditor session shorttitle size sponsor subject targetfile tertiarymark tertiarytype type url versiontype volume | |||
| 7. Controle da descrição | ||||
| e-Mail (login) | simone | |||
| atualizar | ||||